一篇题为“国家标准与技术研究所关键尺寸小角度x射线散射发展的关键里程碑回顾”的新技术论文。
文摘:
“基于x射线散射的计量是在20多年前构想出来的，是美国国家标准与技术研究院(NIST)和国际商业机器公司(IBM)合作的一部分，用于评估半导体行业光刻图案材料的性能。该方法将周期性光刻结构阵列视为衍射光栅，通过分析衍射图样提取光栅中结构的物理尺寸。在工作的早期阶段，重点是发展透射小角度x射线散射(tSAXS)作为测量工具，以测量对集成电路芯片制造至关重要的光刻特征的关键尺寸(CD)。后来，由于其独特的功能，重点转移到将掠入射小角度x射线散射和x射线反射率作为CD测量工具的一部分。通常，术语临界尺寸小角度x射线散射(CDSAXS)已被用作使用tSAXS进行CD测量的计量学的同义词，而不提及透射。本文回顾了CDSAXS发展的各个里程碑，并展望了对半导体工业重要的复杂三维纳米结构的x射线计量的未来增长。
找到技术纸在这里．2023年4月出版。
吴文丽，R. Joseph Kline, Ronald L. Jones，李海正，Eric K. Lin, Daniel F. Sunday，王成清，胡腾娇，Christopher L. Soles。“回顾国家标准与技术研究所关键尺寸小角度x射线散射发展的关键里程碑。”微/纳米图案，材料与计量学报22，第2期。3(2023): 031206。
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