采用一种改进的离散层厚度设计方法进行陷波滤波器的容错设计。
深度反应离子蚀刻(DRIE)工艺用于通过硅孔(tsv)形成，通过在特征的垂直侧壁上沉积聚合物来实现高纵横比。在tsv中沉积其他材料(包括介质衬垫、Cu屏障和Cu)之前，必须去除这种聚合物材料。清洗工艺采用铜大马士革集成流程，使用氧灰和湿清洗相结合的方法去除残留的光刻胶和侧壁聚合物，为后续薄膜制备TSV的内表面。在这项工作中，我们展示了仅使用湿法的清洗过程的性能。光阻剂和侧壁聚合物的去除是通过使用一种环保化学物质的浸泡和高压喷涂工艺相结合来完成的。这减少了流程步骤的总数，从而降低了总成本。以前的工作表明，物理分析，包括SEM, EDX和俄歇，以及电气测试，是确定清洁度所必需的。本研究的重点是电气测试，以确定纯湿式清洁的性能。电气测试允许测量多达数千个tsv的聚合行为。在线测试(ILT)使用电容、泄漏和电导来确定M1和TSV介质衬垫的性能。 Dielectric breakdown voltage measured using a Voltage Ramp Dielectric Breakdown (VRDB) method is used to test the reliability of the TSV dielectric liner. In this work, the cleaning performance was evaluated using two via diameters (2 and 5 microns) and two aspect ratios (10:1 and 20:1).
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