使用二次离子质谱(SIMS)在线测量峰值浓度、峰值深度和剂量，同时提供更好的种植过程控制。
在半导体工业中，离子注入工艺已经扩展到广泛的应用范围，其剂量和能量跨越几个数量级。
离子注入是一个非常复杂的过程，有许多参数和因素会影响离子注入的性能。例如，光刻胶开口高展径比带来的阴影效应、植入体角度变化带来的离子通道或去通道效应、剂量和植入体能量精度都是实现均匀器件性能和良好产品收率的重要因素。此外，目前的工艺控制是在测试晶圆上以一定的时间间隔进行的，其中破碎的样品片被送到晶圆厂外进行SIMS分析。周转时间一般较长，结果往往不能反映实际生产情况。众所周知，在某些情况下，虽然控制图处于良好状态，但产品未能满足其规格。对一致性植入材料的需求越来越重要。因此，迫切需要更好的种植过程控制。
本文探讨了如何利用二次离子质谱(SIMS)在线测量峰值浓度、峰值深度和剂量，同时提供更好的种植过程控制。
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