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3 d晶体管

晶体管源和漏在哪里添加为鳍的大门。
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描述

3 d晶体管源和漏添加门控制通道的鳍从三个方向相反的一边。

3 d晶体管的例子:

他们一直在使用自2011年以来,当英特尔开始大规模生产第一non-planar晶体管22纳米的过程。的想法3 d晶体管10年前来自实验室的加州大学,伯克利分校,1999年在研究和发展了十年。3 d晶体管是一种停止当前发生的泄漏,平面的金属门太小了源和排水完全停止当前。添加更多的源极和漏极区域门口启用了鳍帮助解决问题和晶体管继续萎缩。缩小晶体管使他们更快。

3 d晶体管已经成为主导今天晶体管使用。

图1:平面晶体管与finFETs与gate-all-around来源:林的研究

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