一篇名为“溅射”的新技术论文l10-FePd及其在Si/SiO2晶圆上的合成反铁磁体，用于可伸缩自旋电子学”，由明尼苏达大学和NIST的研究人员发表，由DARPA和其他机构资助。
根据明尼苏达大学的总结新闻文章“行业标准自旋电子材料钴铁硼的可扩展性已经达到了极限。研究人员通过展示钯铁，一种需要更少能量并具有更多数据存储潜力的替代材料，可以缩小到更小的尺寸，从而规避了这个问题。”
摘要
“作为具有界面垂直磁各向异性(PMA)的主流CoFeB/MgO系统的有前途的替代方案，l10-FePd及其合成的反铁磁体(SAF)结构与大晶体PMA可以支持自旋电子器件在5 nm以下尺寸具有足够的热稳定性。但是，准备的兼容性要求l10Si/SiO上的-FePd薄膜2晶圆仍然没有满足。在这篇论文中，高质量l10-FePd及其在Si/SiO上的SAF2通过涂覆无定形SiO来制备晶圆2表面有MgO(001)种子层。准备的l10-FePd单层和SAF堆叠具有高度(001)纹理，分别表现出强PMA、低阻尼和相当大的层间交换耦合。系统的表征，包括先进的x射线衍射测量和原子分辨率扫描透射电子显微镜，以解释突出的性能l10-FePd层。从MgO种子层开始的完全外延生长，诱导了(001)织构l10-FePd，并通过SAF间隔延伸观察。这项研究使可伸缩自旋电子学的愿景更加实际。”
找到开放获取这里是技术文件．2023年2月出版。
Lyu, Deyuan, Jenae E. Shoup，黄丁斌，Javier García‐Barriocanal，贾奇，William Echtenkamp, Geoffrey A. Rojas等，“溅射L10‐FePd及其在Si/SiO2晶圆上的合成反铁磁体，用于可伸缩自旋电子学。”先进功能材料(2023):2214201。https://doi.org/10.1002/adfm.202214201。
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