新加坡科技设计大学和剑桥大学的研究人员发表了一篇题为“由相变存储材料驱动的单细胞多策略处理移位寄存器”的新技术论文。
摘要
“现代创新是建立在计算机的基础上的。与冯·诺依曼架构拥有独立的存储和处理单元相比，内存操作使用相同的主结构进行数据存储和寄存器操作，因此有望显著降低数据中心计算的能源成本。虽然各种研究都集中在探索新的器件架构，但设计合适的材料平台是极具挑战性的。在这里，在数据存储和寄存器操作中利用相变材料(PCM)的所有四种材料(M)状态，并演示了用于开发内存操作的基于M状态的组合模型框架，以及非易失性，可重新编程的单单元移位寄存器操作。在基于M状态的平台上实现了以前未实现的每伏多电平不同初始状态多电平集过程并进一步计算。最简单的可编程移位寄存器配置的例子是使用串行进串行出处理策略，以及使用M状态类型平台的更复杂的可编程处理方案，展示了以前未报道的具有多种处理方法的非易失性移位寄存器类型。这为使用双终端半导体材料的下一代低功耗电子系统的开发铺平了道路。”
找到这里是技术文件．2023年1月出版。可以找到一篇摘要新闻文章在这里．
郭淑娟，王强，黄凯，李廷华，巴贾洛维奇，N.和洛克，D.K.(2023)，相变存储材料驱动的单细胞多策略处理移位寄存器。放置智能。系统。2200353。https://doi.org/10.1002/aisy.202200353。
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