标签:动态随机存取记忆体

艺术的状态和未来的方向Rowhammer(苏黎世联邦理工学院)
通过技术论文链接——4月18日,2023 -评论:0

一个新的技术论文题为“从根本上理解和解决RowHammer”是瑞士苏黎世联邦理工学院的研究人员发表的。抽象的“我们概述近期的发展和未来的发展方向RowHammer脆弱性困扰现代DRAM(动态随机存取存储器)芯片,用于几乎所有计算系统主内存。RowHammer的现象……»阅读更多

DDR5记忆使下一代计算
通过约翰Eble4月- 13,2023 -评论:0

计算内存转换可能只发生一次十年,但是当他们做什么,这是一个非常激动人心的时刻。当电平宣布的出版JESD79-5 DDR5 SDRAM标准在2021年,它标志着开始过渡到DDR5服务器和客户机dual-inline内存模块(服务器RDIMMs客户UDIMMs和SODIMMs)。我们现在坚定地在这条道路的使…»阅读更多

如何保障设计接口的内存
通过达纳·诺- 06年4月,2023 -评论:0

达纳·诺和布雷特默多克2017年,信用局Equifax宣布黑客已经违反了制度,释放1.47亿人的个人信息。结果,该公司已解决了集体诉讼的4.25亿美元援助那些影响,包括身份盗窃、欺诈、经济损失,和清理费用损失。威胁是否iden……»阅读更多

CXL记忆:使用微型基准测试中详细描述分析和实际应用程序(伊利诺斯,英特尔实验室)
通过技术论文链接3月- 30,2023 -评论:0

一个新的技术论文题为“揭秘CXL记忆与真正的CXL-Ready系统和设备”由伊利诺斯大学香槟分校研究人员发表(伊利诺斯)和英特尔实验室。文摘:“现代数据中心高记忆容量的需求导致了多个行内存扩展创新和崩溃。就是这样一个努力计算表达链接(CXL)的……»阅读更多

互联:探索半金属(宾夕法尼亚州立大学、IBM、莱斯大学)
通过技术论文链接——3月26日,2023 -评论:0

技术论文题为“探索互联拓扑半”由宾夕法尼亚州立大学的研究人员发表,IBM和莱斯大学,资金由半导体研究公司(SRC)。抽象的“晶体管的大小已经大幅减少。互联同样也被缩减。今天,传统的铜(铜)的互联面临…»阅读更多

比较评价DRAM位线间隔的集成方案
通过邓普西邓3月- 16,2023 -评论:0

减少动态随机存取记忆体(DRAM)细胞大小,DRAM过程开发变得越来越困难。位线(提单)传感利润率和刷新时间已成为问题的细胞大小减少,由于提单增加寄生电容(Cb)。的主要因素影响Cb是提单和节点之间的寄生电容接触(CBL-NC) [1]。减少……»阅读更多

CXL-Based内存池系统满足云性能目标和DRAM成本大大降低
通过技术论文链接- 05年3月,2023 -评论:0

技术论文题为“池塘:CXL-Based内存池系统云平台”由弗吉尼亚理工大学的研究人员发表,英特尔、微软Azure,谷歌,和石有限公司抽象的“公共云提供商寻求满足严格的性能要求和较低的硬件成本。性能和成本的一个关键驱动主内存。内存池承诺提高DRAM利用率和t…»阅读更多

在soc处理性能瓶颈
通过布莱恩•贝利2月23日,2023 -评论:0

激增的数据量soc陷入困境需要过程性能,当处理器本身可以处理大量涌入,内存和通信带宽是紧张的。现在的问题是,能做些什么。内存和CPU带宽之间的差距——所谓的“记忆墙是有据可查,绝对不是一个新问题。但它并没有消失……»阅读更多

流程创新使下一代soc和记忆
通过劳拉·彼得斯2023年2月- 20(-评论:0

实现改善性能先进的soc和包——用于移动应用程序,数据中心,和AI——需要复杂的和潜在的昂贵的架构的变化,材料,和核心制造过程。以下选项中考虑新的计算架构,不同的材料,包括薄势垒层和高th……»阅读更多

周评:半导体制造、测试
通过凯伦·海曼2023年2月- 10(-评论:0

芯片消费设备,但整个芯片行业正在积极准备下一阶段的增长。全球硅片出货量,一个聚合的各种半导体领域,2022年再创新高,增加4%至147.13亿平方英寸(MSI)。晶片收入,与此同时,同期增长9.5%至138亿美元,半报道……»阅读更多

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