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标签:EUV薄膜

EUV光刻用薄膜电阻率和发射率的研究
通过技术文件链接- 2022年4月1日-评论:0

汉阳大学和德克萨斯大学达拉斯分校的新技术论文。“薄膜是一种薄膜结构，可以保护极紫外(EUV)口罩在曝光过程中不受污染。然而，由于EUV光子的吸收，其有限的透光率会引起不必要的加热。通过改善EUV膜的稳定性，可以避免EUV膜的破裂。»阅读更多

调查:2020年eBeam计划年度调查结果
通过eBeam倡议- 2021年7月21日-意见:0

D2S, Inc.的首席执行官Aki Fujimura于2021年4月在日本2021年的Photomask上展示了“eBeam Initiative在Photomask上的年度调查结果”。调查显示，COVID对口罩总收入的业务影响为净中性。到2021年，与covid - 19相关的商业预测为24%的正面对20%的负面。74%的人同意到2023年对EUV HVM进行光化检查，并获得更多结果。点击这里阅读更多。»阅读更多

EUV在3nm及以下的挑战和未知
通过马克LaPedus- 2020年11月19日-评论

芯片行业正在为3nm及以上的极紫外(EUV)光刻技术的下一阶段做准备，但挑战和未知仍在继续堆积。在研发方面，供应商正在研究各种新的EUV技术，如扫描仪、电阻和掩模。这些将是达到未来工艺节点所必需的，但它们比目前的EUV pro更复杂和昂贵。»阅读更多

发现EUV掩模中的缺陷
通过马克LaPedus- 2020年1月23日-意见:0

极紫外(EUV)光刻技术终于在先进的节点上投入生产，但该技术仍存在一些挑战，例如EUV掩模缺陷。缺陷是芯片中不需要的偏差，它会影响成品率和性能。它们可能在芯片制造过程中突然出现，包括掩模或掩模的生产，有时也被称为十字线。幸运的是…»阅读更多

更多光刻/掩模挑战(上)
通过马克LaPedus- 2018年3月15日-评论:2

《半导体工程》杂志与高级制版部门主管Gregory McIntyre坐下来讨论光刻和掩模技术[getentity id="22217" e_name="Imec"];[getentity id="22819" comment="GlobalFoundries"]高级研究员兼技术研究高级主管Harry Levinson;Regina Freed， [getentity id="…»阅读更多

口罩制造商担忧加剧
通过马克LaPedus- 2016年8月18日-评论:2

领先的掩模制造商在从14nm节点及更远节点迁移过程中面临着众多挑战。掩模制作在至少两个方面的每个节点上变得越来越具有挑战性和昂贵。一方面，口罩制造商必须继续在先进节点上投资于传统光学口罩的开发。在另一方面，一些掩模供应商正在为可能的革命做准备。»阅读更多

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