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标签:四周都是门

在Si平台上以高足迹密度定义和生长III-V垂直纳米线
通过技术文件链接- 2022年7月29日-意见:0

瑞典隆德大学的研究人员发表了题为“Si上密集垂直III-V纳米线的定向自组装和栅极全方位沉积的影响”的新技术论文。摘要:“制造下一代晶体管需要新的技术要求，如减小尺寸和增加结构密度。开发具有成本效益的生产工艺。»阅读更多

FEOL纳米片工艺流程和挑战需要计量解决方案(IBM Watson)
通过技术文件链接- 2022年7月8日-评论:0

IBM Thomas J. Watson研究中心的研究人员发表了一篇题为“纳米片计量学机会的技术准备”的新技术论文。(美国)。摘要(部分):“与以前的技术相比，纳米片技术可能会在一些离线技术从实验室过渡到晶圆厂时发挥作用，因为某些关键测量需要实时监控。T…»阅读更多

基于同步s射线衍射的Si/SiGe纳米片GAA结构的无损纳米尺度映射
通过技术文件链接- 2022年6月13日-评论:0

IBM T.J.沃森研究中心和布鲁克海文国家实验室的研究人员发表了题为“Si/SiGe纳米片器件几何结构中的机械响应映射”的新研究论文。由美国能源部赞助。“下一代纳米电子器件的性能依赖于对组成材料内部应变的精确理解。然而，增加的灵活性……»阅读更多

全门时代的半导体测试
通过里克•伯恩斯- 2022年5月10日-意见:0

过去两年，在人工智能、自然语言处理、自动驾驶汽车以及增强现实和虚拟现实技术的进步推动下，半导体行业实现了前所未有的增长。所有这些应用在很大程度上依赖于半导体的进步，以满足他们对巨大计算处理和通信带宽的需求，以使t…»阅读更多

精密选择蚀刻工具为下一个技术拐点铺平道路
通过蒂姆·阿切尔- 2022年2月17日-评论:0

在过去的十年里，对越来越小、密度越来越大、功能越来越强大的芯片的需求，促使半导体制造商从平面结构转向日益复杂的三维(3D)结构。为什么?简单地说，垂直堆叠元素可以实现更大的密度。使用3D架构来支持高级逻辑和内存应用程序代表了…»阅读更多

从finfet到全能门
通过尼莉莎Draeger- 2020年11月19日-评论:0

当finfet第一次在22纳米节点上商业化时，它代表了我们制造晶体管的方式的革命性变化，晶体管是芯片“大脑”中的微小开关。与之前的平面晶体管相比，翅片在三面通过栅极接触，提供了更好的控制在翅片内形成的通道。但是，finfet已经达到了其用途的尽头。»阅读更多

finfet让位给全能门
通过林的研究- 2020年11月18日-评论:0

当finfet第一次在22纳米节点上商业化时，它代表了我们制造晶体管的方式的革命性变化，晶体管是芯片“大脑”中的微小开关。与之前的平面晶体管相比，翅片在三面通过栅极接触，提供了更好的控制在翅片内形成的通道。但是，finfet已经达到了其用途的尽头。»阅读更多

生产时间:11月17日
通过马克LaPedus- 2020年11月17日-评论:0

在即将到来的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，英特尔预计将发表有关其开发栅极全能晶体管的论文。英特尔的一篇论文描述了一种更传统的全栅极晶体管技术，称为纳米片FET。另一篇论文涉及下一代NMOS-on-PMOS纳米带晶体管技术。(F……»阅读更多

5nm及以下的三维提取需求
通过鲁本莫利纳- 2018年1月25日-评论:0

在我从事产品营销的大部分职业生涯中，我一直专注于静态时间分析(STA)。它过去是，现在仍然是一个具有多种主题的领域，包括基于图的分析和基于路径的分析，片上变化建模，延迟计算，进化库模型等。在那些年里，我一直明白寄生提取是STA的一个关键因素，更重要的是…»阅读更多

探索新的扩展方法
通过马克LaPedus- 2017年10月19日-评论:0

在最近的SPIE掩模技术+极紫外光刻2017年会议上，《半导体工程》与美国加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系台积电微电子特聘教授Tsu-Jae King Liu坐下来讨论了半导体技术。更具体地说，刘讨论了一些新的…»阅读更多

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