从实验室到工厂:保险丝IC过程压力越来越大


测试、计量和检验为实验室和工厂是必不可少的,但融合在一起,这样数据中创建一个很容易转移到另一个是一个巨大的挑战。芯片行业多年来一直努力桥这些单独的世界,但经济、速度、和复杂性的变化需要一个新方法。永无止境的推动小,增速甚至……»阅读更多

整片强迫症计量


由:丹尼尔Doutt *, Ping-ju契那发电厂,Bhargava Ravooria,参选k . Trana埃坦Rothsteinb, Nir Kampelb,理Tamamb,有效率Aboodyb, Avron现场,Harindra Vedalac文摘光学临界尺寸(OCD)光谱学是一个可靠的、非破坏性、高通量测量计量技术和过程控制,广泛应用于半导体生产设备(f……»阅读更多

3 d内存结构:常见的孔和倾斜计量技术和能力


技术论文题为“高纵横比的内联计量孔倾斜和中心线用小角x射线散射”转变是力量Nano和林的研究人员发布的研究。文摘:“高纵横比(HAR)结构在三维nand内存结构具有独特的过程控制的挑战。用于制造的腐蚀通道几个微米深的洞…»阅读更多

反思2023年日本光掩模:拥抱曲线面具的时代


2023年4月,我有幸参与光掩模日本2023 (PMJ2023), web会议,召集了专家和爱好者。会议开始的启蒙主题库尔特博士Ronse imec的地位和高钠EUV生态系统的挑战,提出引入高NA EUV路线图。我想表达我使高兴……»阅读更多

如何计量工具堆栈在3 d NAND闪存设备


多个创新半导体加工需要支持3 d NAND位密度每年增加约30%的下降的成本,这些都需要满足大数据时代的非易失性存储需求。3 d NAND是第一个真正三维设备在生产中。它既是一种为新的计量方法和技术驱动程序的重要组成部分…»阅读更多

在积极和消极离子污染物的检测模式使用内联西姆斯和一个氧离子束


利用二次离子质谱(SIMS)在线计量学是一个新兴的过程控制方法,需要3测量,使西姆斯在产品晶片。西姆斯的测量负离子通常与铯主要离子束。铯存在于硅,不幸的是,当它形成陷阱州如果带隙,从而导致ser……»阅读更多

CDSAXS里程碑和未来增长X-ray-Based计量的三维纳米结构重要的芯片行业


新技术论文题为“审查的关键发展的里程碑重要尺寸小角x射线散射在国家标准与技术研究所的。”Abstract: "An x-ray scattering based metrology was conceived over 20 years ago as part of a collaboration between National Institute of Standards and Technology (NIST) and International Business Machines Corporat...»阅读更多

挑战成长为CD-SEMs 5 nm和超越


CD-SEM,主力计量工具使用的晶圆厂过程控制,正面临巨大的挑战在5 nm和下面。传统上,CD-SEM成像依赖有限数量的图像帧平均,这是必要的,保持速度和吞吐量减少样本电子束本身造成的损失。尺寸变小,这些限制导致更高水平的n…»阅读更多

案例研究——Rohinni微型led


Rohinni结合视觉、执行和微米尺寸电子使不可能的产品成为可能。使用其专利装置置入技术、Rohinni连同其合资伙伴,使大量为市场带来创新的产品,并大大降低成本。点击这里阅读更多。»阅读更多

易于使用的机械频率梳平台(荷兰代尔夫特科技)


一个新的技术论文发表的题为“机械泛音频率梳”代尔夫特科技大学的研究人员,艾哈迈达巴德大学和国家标准。抽象的“机械频率梳将应用程序和实用工具的光学频率梳成机械领域。到目前为止,他们的主要挑战是严格要求驱动频率和功率,…»阅读更多

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