红色微led的表面积小了三个数量级


密歇根大学的研究人员发表了一篇题为“n极性InGaN/GaN纳米线:克服红色发光微型led的效率悬崖”的技术论文。研究人员创造了“红色微led,其表面积比之前报道的器件小了近三个数量级,同时表现出约1.2%的外部量子效率,”根据该大学的说法。»阅读更多

高级节点、包的变异威胁增长


对于芯片制造商来说,随着他们向下一个工艺节点或越来越密集的高级封装推进,变化正成为一个更大、更复杂的问题,引发了对单个设备甚至整个系统的功能和可靠性的担忧。在过去,几乎所有关于变异的关注都集中在制造过程上。打印在硅片上的东西…»阅读更多

3/2nm的挑战


Lam Research计算产品副总裁David Fried谈到了即将到来的工艺节点问题,向EUV光刻和纳米片晶体管的转变,以及工艺变化如何影响成品率和器件性能。»阅读更多

功率/性能位:3月31日


来自普渡大学、圣路易斯华盛顿大学、德克萨斯大学达拉斯分校和密歇根理工大学的研究人员提出,稀土元素碲可以作为超小型晶体管的潜在材料。碲被封装在氮化硼制成的纳米管中,有助于构建直径为两纳米的场效应晶体管。�…»阅读更多

生产时间:1月2日


更好的纳米线mosfet在最近的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,Imec和应用材料公司发表了一篇关于制造垂直堆叠栅极全能mosfet的新改进方法的论文。更具体地说,Imec和Applied报告了硅纳米线MOSFET的工艺改进,该MOSFET集成在CMOS双工作功能金属替代金属芯片中。»阅读更多

芯片研发内幕


《半导体工程》与比利时研发组织Imec总裁兼首席执行官Luc Van den hove坐下来讨论了研发挑战、EUV和其他话题。以下是那次谈话的节选。SE:显然,摩尔定律正在放缓。传统的流程节奏从2年扩展到大约2.5到3年。然而,研发并没有放缓,对吧?...»阅读更多

2.5D, asic扩展到7nm


领先的代工市场正在升温。例如,GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电最近都宣布了各自的新工艺。厂商的新工艺范围从10纳米到4纳米,尽管目前的竞争发生在10纳米和/或7纳米。事实上,一家供应商,GlobalFoundries,本周将描述更多关于其之前宣布的细节…»阅读更多

晶体管会变得多小?


几乎所有人都同意摩尔定律正在变慢。但是,它是否会真正结束,或者只是变得过于昂贵和无关紧要——以及什么将取代设备缩放——是一些影响深远的研究和大量讨论的主题。《半导体工程》杂志与三家顶级研究机构的领导人进行了面对面的交谈。»阅读更多

生产时间:2月17日


瑞典隆德大学(Lund University)计划为纳米技术领域的初创企业建立一个试生产设施。该设施将供瑞典公司和研究人员生产产品。这是为那些没有资金建造自己的设施或购买昂贵设备的公司准备的。该项目源于隆德大学对纳米线的成功研究。»阅读更多

一对一:Aaron Thean


《半导体工程》杂志与Imec工艺技术副总裁兼逻辑器件研发项目主任Aaron Thean坐下来讨论了工艺技术、晶体管趋势和其他主题。SE:芯片制造商正在提高16nm/14nm的逻辑节点,10nm和7nm的研发正在进行中。目前10nm和7nm的时间表是什么?Thean: 10nm已经在路上了。我们将看到……»阅读更多

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