标签:Veeco仪器

铜互联扩展到2海里
通过劳拉·彼得斯——3月17日,2022 -评论:0

晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

在下面3 nm和EUV挑战和未知
通过马克LaPedus11月19日,2020 -评论:1

芯片行业正在准备下一阶段的极端紫外线(EUV)光刻3海里,但挑战和未知继续堆积起来。在研发,供应商正在研究各种新EUV技术,如扫描仪、抗拒和面具。这些将需要达到未来流程节点,但他们更复杂和昂贵的比当前EUV亲……»阅读更多

周评:汽车、安全、普适计算
通过苏珊兰博10月- 16,2020 -评论:0

安全英特尔宣布了新的安全特性代号为CPU湖冰,据SecurityWeek的故事。10 nm-based Xeon可伸缩将新加坡交易所可信执行环境和几个新功能内存加密,固件韧性和加密性能加速。总内存加密(身上)的新功能在CPU将加密访问内存。年代……»阅读更多

周评:汽车、安全、普适计算
通过苏珊兰博- 02年7月,2020 -评论:0

美国铸造厂法案,一个由两党计划重振美国在全球微电子领域的领导地位,宣布了美国的来自纽约的民主党参议员查克•舒默(charles Schumer)。“经济和国家安全带来的风险过于依赖外国半导体供应商不能被忽略,纽约北部,有一个健壮的半导体行业,是最完美的地方……»阅读更多

通过硅通过有效Post-TSV-DRIE湿清洁过程的应用程序
通过Veeco- 3月18日,2020 -评论:0

深反应离子刻蚀(冲动)流程用于形式通过硅通过(tsv)实现高纵横比的垂直侧壁上形成聚合物层的特性。这种聚合物材料之前,必须删除其他材料(包括绝缘衬套、铜障碍、和铜)存入tsv。清洁过程改编自铜波纹的集成流程结合使用的氧气……»阅读更多

周评:汽车、安全、普适计算
通过苏珊兰博- 07年2月,2020 -评论:0

物联网SEMI-FlexTech推出六个灵活的混合电子(FHE)项目,与美国陆军研究实验室合作(支持),传感器和传感器系统的加速创新。参与项目是美国半导体公司,德克萨斯大学埃尔帕索,Tekscan,帕洛阿尔托研究中心,Alertgy,和爱荷华州立大学等。的一些项目包括开发……»阅读更多

加速碳化硅电力电子设备与机械切割系统大量生产
通过Veeco12月- 16,2019 -评论:0

碳化硅(SiC)是一种宽带隙半导体材料,具有巨大的潜力,丰富我们的生活,使更好的技术与连通性和效率提高。它提供了许多优点在电力应用常见的硅(Si),因为它可以掺杂远高于硅达到最佳闭锁电压。此外,原文如此高的热导率特性enab……»阅读更多

过程产生高纵横比电镀铜柱在300 mm晶圆
通过Veeco10月- 16,2019 -评论:0

这项工作提供了一个完整的细节和部分优化过程制造高纵横比铜柱子的高度高达80µm 200和300毫米晶圆。在所有材料晶片均匀性数据和流程步骤。结果将显示优秀的抵制粘附在电镀铜和耐久性。横截面扫描电镜分析抵制和电镀公益诉讼…»阅读更多

外部阻力减少的纳秒激光退火硅/锗硅CMOS技术
通过Veeco- 9月18日,2019 -评论:0

作者:1奥列格•Gluschenkov 1恒,凯文•酿造1 2渝妞妞、1蓝宇,1亚希尔Sulehria 1塞缪尔·崔22柯蒂斯其中,james Demarest 1 1 adra卡尔,3陈少阴,吉姆·威利斯3 3 thirumal Thanigaivelan, 1 fee-li撒谎,沃尔特·Kleemeier 2和1有着郭1 ibm Research,富勒路257号,奥尔巴尼,纽约12203年美国电子邮件:(电子邮件保护)2 globalfoundries Inc .,奥尔巴尼,纽约,美国,3欧泰克,一个部门…»阅读更多

Intra-Field压力影响全球晶圆变形
通过Veeco8月- 14,2019 -评论:0

的贡献者之一层覆盖在今天的芯片制造晶片失真是由于薄膜沉积过程。电影特定材料参数不匹配(例如,热膨胀系数)可能导致process-induced翘曲在室温下的晶圆。当这些扭曲的晶圆装载到下一层接触的扫描仪,平面disto……»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu