周评:制造、测试

贸易
报道最近,美国实现更多的限制美国芯片销售华为。作为回应,半已经发布了下面的语句为了应对新宣布的出口管制规则的改变美国商务部:

“半承认的角色出口管制措施来解决对美国国家安全的威胁。然而,我们非常担心新的出口管制条例发布8月17日,2020年,由美国商务部最终将破坏美国的国家安全利益伤害美国的半导体产业,创造大量的半导体供应链中不确定性和混乱。7月14日,在5月15日的规定,公开评论半警告说,那些购买美国相对狭窄的行动创造了独特的不利因素起源半导体设备和设计软件,已经导致1700万美元的损失。S-origin项目公司与华为无关。

“商务部显著扩大这些单方面的决定限制可能会导致更多的销售损失,侵蚀你的客户群。S-origin物品。新的限制也将燃料认为美国技术的供应不可靠并领导美国。客户要求设计出的美国技术。与此同时,这些行动进一步激励努力取代这些美国技术。

“半恭敬地请求商务部立即延长到120天储蓄条款在8月17日之前生产的产品,确保所有项目的可预见的和及时的许可决策和重大的灵活性许可证5克项目无关。我们还敦促政府采取政策和更少的意想不到的后果和损害美国技术领导力。全球销售收入的主要来源美国研究与发展(R&D)资金在这些技术;失去了全球收入下降将导致研发、削弱美国半导体创新和损害国家安全。”

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与此同时,美国商务部的行为有影响的几家公司。“在一次会议上,微米关于华为业务提供了一个更新,表明华为出货量将可能停止后,9月14日。我们相信微米已经记忆产品出售给华为临时许可协议;本授权可能不再有效根据商务部新规定和微米可能会需要一个新的许可证后船华为9月14日(不太可能,在我们看来)。我们相信华为目前微米的7 - 9%的客户,和新的限制放贷风险其F1Q(11月)和F2Q(2)收入作为华为的产品可能需要分配给其他客户。微米观点任何短期Huawei-related风险,指出它与其他智能手机制造商已经具备良好的条件,”韦斯顿Twigg分析师说KeyBanc在一份研究报告。

芯片制造商
在虚拟台积电技术研讨会,硅铸造巨头展示其最新的技术。许多技术,如5 nm, 4和3 nm,宣布在先前的事件。台积电宣布推出一项新的低功耗12纳米技术。此外,台积电引入3 dfabric伞公司的集成电路封装技术的组合。

一位分析师,他出席了虚拟事件,这些观察结果。”披露咄咄逼人的工厂产能的扩张计划,看来,台积电充满信心的高需求5和3 nm,”塞缪尔·王说,分析师Gartner。“3 nm使用finFET晶体管结构风险安排生产与大规模生产在2021年末2 h 2022。”

需求也高,成熟的过程。“缓解瓶颈的200毫米晶片供应紧张,显然,台积电选择要求客户从200毫米到300毫米晶圆厂,而不是扩大产能200毫米,”王说。

台积电的包装也是一个关键。”,使更广泛的采用异构先进的3 d包装涉及chiplets和互联,台积电认识到重要性有OIP伙伴的支持,建立生态系统,”他补充道。

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Kioxia从东芝,NAND闪存剥离,申请首次公开发行(ipo)在日本,据一份报告布隆伯格。

手臂将保持其物联网平台和数据单位作为独立的企业,根据彭博社的一份报告。这是一个逆转的先前的计划。

OmniVision宣布OS02G10安全图像传感器是专为主流,大容量安全摄像头需要1080 p分辨率和光线暗的像素的性能。OS02G10提供最佳光线捕获通过2.8微米像素建立在OmniPixel 3 - h体系结构。

工厂工具和材料
proteanTecs深度数据,开发人员解决方案,宣布关闭的发展股权融资4500万美元。圆是由科赫颠覆性技术(KDT)并加入了英勇股权合作伙伴和事迹管理以及现有的投资者。投资将用于加速proteanTecs业务的市场渗透和规模来满足不断增长的需求。

林的研究已经批准了一项增加0.15美元或13%季度股息从每股1.15 - 1.30美元的普通股。增加符合严格的年度股息增长的意图。

的美国能源部宣布2000万美元用于基础研究旨在确保美国稀土元素的供应稳定。

这是最新的罗斯基尔:“最近Yangzte中国南方的洪水严重影响许多金属行业包括稀土产品”。研究公司还钻到最近的背后的原因铜价快速复苏。

市场研究
铸造收入预计增长第三季度的14%,根据TrendForce。研究公司也发布了铸造排名的销售。

世界范围内智能手机市场预计同比下降9.5%在2020年出货量达12亿台,根据国际数据集团。但预计5 g的影响使市场在2021年回到增长,根据IDC。

5 g升温,基于基站的数量在市场上部署。2019年中国建造了130000 5 g基站,计划安装500000多2020年,汉德尔·琼斯表示,首席执行官肠易激综合症。600万年到2024年,中国的目标是部署系统,琼斯说。“韩国大约80000 5 g基站安装到2019年底,预计120000将被安装在2020年,”琼斯说。“美国和其他人有大约20000 5 g基站安装在2019年底,另一个50000将被安装在2020。”

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报道,对功率放大器芯片的需求正在增加和其他射频设备5 g基站。今天的许多权力安培5 g基站基于射频氮化镓(GaN)使用碳化硅(SiC)基质。几个供应商正在竞争硅基片射频GaN或GaN-on-silicon。

“甘GaN-on-silicon基质提供一种低成本的设备解决方案虽然高功率性能不如GaN-on-SiC。但它可用于低或中等功率应用程序或TRX电路在5 g手机基站,甚至在未来。其成本可能非常与砷化镓甚至LDMOS体积足够高时,”首席技术官Barry林说Wavetek,一个III-V铸造这是一部分,联华电子。“由于GaN-on-silicon电力技术的大量应用,很多公司进入发展在过去的十年里,这好处GaN-on-silicon射频的发展。在不久的将来,我们可能会看到高容量应用程序基于GaN-on-silicon手机的射频功率放大器,这是一个难以想象的应用程序在过去。”