周回顾:半导体制造和测试

拜登政府的半导体制造设备出口禁令推迟了中国芯片制造商的扩张计划日经亚洲报道。长江内存技术(YMTC)已停止在武汉附近的第二家存储器工厂的工作昌鑫内存技术CMTX表示，原定于2023年投产的第二个生产设施将推迟到2024年或2025年。

为了避免制造业务受到类似的干扰，三星而且SK海力士是游说获得新的豁免MSN报道称，中国将对出口限制做出回应。三星收到了为期一年的豁免去年10月，新出口规定被取消。此次游说活动正值与中国半导体制造业相关的国际紧张局势日益加剧之际ASML本周报道窃取机密技术资料据彭博社报道，该公司的一名前中国员工泄露了其先进的光刻设备。

美国的出口管制进一步影响了跨国公司未来扩张和投资的重点。主要的美国设备供应商，包括应用材料，林研究,心理契约所有公司都在从中国调离非中国员工提高东南亚国家的生产能力如新加坡和马来西亚，日经亚洲报道。英特尔也在寻找增加在越南的投资据路透社报道，该公司将斥资10亿美元用于芯片测试和封装。德国总统施泰因迈尔参观了位于马来西亚久林的英飞凌晶圆厂英飞凌的投资20亿欧元在一个生产复合半导体的新工厂里。

其他企业正在将投资重点转向美国和欧盟(EU)国家，提供刺激国内半导体制造业的激励措施。台积电批准了一项注资35亿美元以及近70亿美元的一般资本拨款，用于全公司的晶圆厂建设和先进技术升级。

在英国，半导体公司是如此威胁要把他们的业务转移到海外如果英国政府未能制定自己的半导体制造业投资计划，该公司将利用政府的资金支持。拜登总统去年签署的《芯片法案》包括为新的半导体制造业提供520亿美元的联邦激励。

交易

一个新的战略伙伴关系之间的安靠而且GlobalFoundries将在Amkor位于葡萄牙波尔图的工厂提供测试和组装服务。GlobalFoundries将从其德累斯顿工厂转移其300mm凹凸和排序生产线到波尔图业务，以创建欧洲第一个大规模后端设施。两家公司计划在葡萄牙的未来项目上进行合作。

启动微芯片工具制造商Unisers融资1400万美元，由英特尔投资，开发先进的缺陷检测工具。

制造业

德州仪器公司选择了犹他州的莱希市，价值110亿美元，300mm晶圆厂扩展．新工厂将位于该公司现有的300毫米工厂旁边。一旦建成，这两个工厂将作为一个单一的晶圆厂运营。

英飞凌是新工厂开始建设德国德累斯顿的模拟/混合信号技术和功率半导体。这座耗资50亿欧元的工厂预计将于2026年投产。

日本的芯片企业Rapidus是比如日本北部的北海道千岁市据路透社报道，这是其首个制造工厂。北海道知事铃木直道(Naomichi Suzuki)周四访问了Rapidus总部，讨论了在北海道建造该设施的事宜。日本已承诺出资5.25亿美元(700亿日元)建立合资企业索尼而且NEC．Rapidus计划在2027年左右开始大规模生产先进的逻辑芯片。

英特尔发布两个新的桌面工作站处理器代号为“蓝宝石激流”(sapphire Rapids)的至强W-3400和至强W-2400。

韩国芯片公司叛乱推出了一款新的人工智能芯片据路透社报道。

Qorvo许可Adeia的混合粘接技术为其连接和电源解决方案。

北极半导体该公司的前身是SiTune公司首次出货5G射频硅芯片例如，5G无线无线电产品IceWings。

九种新型射频集成无源器件现已发售从意法半导体．该设备结合了天线阻抗匹配、巴伦和谐波滤波电路，为该公司的STM32WL无线mcu优化。

联发科发布了4nm芯片组dimension 7000系列，针对新的5G智能手机设备中的摄影和游戏应用进行了优化。

市场研究

根据中国半导体公司发布的一份新的RF年度报告，预计2028年RF前端市场总额将达到约269亿美元，复合年增长率约为5.8%Yole集团．

根据一项新的关键材料分析，到2027年，半导体CMP辅助设备(pad调节器，CMP环，过滤器和刷子)的市场将达到15.5亿美元，复合年增长率为6%TECHCET．预计今年市场将略有下降，2023年下半年将恢复增长。

学术/政府

新航约翰·诺伊弗主席寄了一封信致管理和预算办公室主任，鼓励为CHIPS和2022年科学法案授权的研究和劳动力项目提供全额资助。

石墨烯研究的进展继续使半导体制造业受益。卡内基梅隆大学沈生教授开发了机械柔性铜/石墨烯“三明治”这使得电子芯片与其冷却系统之间的热阻降低了90%以上。

研究人员麻省理工学院说他们有一个以量子位控制原子核的新方法，它可以将存储的信息一致性从几秒钟延长到几个小时。该方法使用两种颜色略有不同的激光发出的光束，通过将激光频率的差异与核自旋的跃迁频率相匹配，以某种方式翻转核自旋。

科学家们宾夕法尼亚州立大学已经形成了一种制备二维氧化物材料的新方法据Phys.org报道，这款产品旨在开发高速电子应用。该团队使用了一种称为限制异质外延(CHet)的技术，制造出只有几个原子厚的2D氧化物，作为导电材料之间的绝缘层。

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